Transistor bipolar 2SA1386

Características del transistor 2SA1386

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -4 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 130 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 180
  • Frecuencia máxima de trabajo: 40 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SA1386

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA1386 puede tener una ganancia de corriente de 50 a 180. La ganancia del 2SA1386 estará en el rango de 50 a 180, para el 2SA1386-O estará en el rango de 50 a 100, para el 2SA1386-P estará en el rango de 70 a 140, para el 2SA1386-Y estará en el rango de 90 a 180.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA1386 puede estar marcado sólo como "A1386".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA1386 es el 2SC3519.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA1386

Puede sustituir el 2SA1386 por el 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, MJW1302A o MJW1302AG.
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